9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3443BDV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3443BDV-T1-GE3参考价格0.28050美元。Vishay Siliconix SI3443BDV-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP。您可以下载SI3443BDV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3443BDV-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI3443BVV-E3中使用的零件别名，该SI3443WDV-E3提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该器件也可以用作SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为6-TSOP，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.1W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，25°C时电流连续漏极Id为3.6A（Ta），最大Id Vgs的Rds为60 mOhm@4.7A，4.5V，Vgs的最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为9nC@4.5V，Pd功耗为1.1W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为35纳秒，上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为3.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为60毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为45纳秒，典型开启延迟时间为22ns，信道模式为增强。
SI3443ADV-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI3443ADV-T1-E3在TSOP-6封装中提供，是IC芯片的一部分。
si3443bdv，带有VISHAY制造的电路图。si3443bdv在sot163封装中提供，是FET的一部分-单个。
