特色
- 48A、60V。RDS（开）=0.025Ω@VGS=5V
- 低驱动要求，允许直接从逻辑驱动器进行操作VGS（TH）<2.0V。
- 高温下规定的临界直流电参数
- 坚固的内部源极-漏极二极管可以消除对外部齐纳二极管瞬态抑制器的需要
- 175°C最大结温额定值
- 用于极低RDS（ON）的高密度电池设计
- TO-220和TO-263（D2PAK）封装，适用于通孔和表面安装应用
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
NDB6060L
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 100W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 17.96239 | 17.96239 |
| 800+ | 10.66227 | 8529.81840 |
- 库存: 0
- 单价: ¥17.96239
-
数量:
- +
- 总计: ¥17.96
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
- 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 48A (Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2000 pF@25 V
- 最大功耗 100W（Tc）
- 工作温度 -65摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 20毫欧姆@24A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 60 nC @ 5 V
NDB6060L 产品详情
这些逻辑级N沟道增强型功率场效应晶体管使用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合于最小化导通电阻，提供优异的开关性能，并承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些设备特别适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路，其中需要快速切换、低在线功率损耗和抗瞬变。
NDB6060L 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NDB56PFC-4DIT TR | DDR2 512MB X16 FBGA 8X12.5(X1.2) | ¥0.00 | |
| NDB56PFC-4DIT | DDR2 512MB X16 FBGA 8X12.5(X1.2) | ¥0.00 | |
| NDB18PFB-4DET | DDR2 1GB X8 FBGA 8X10 (X1.2) 800 | ¥0.00 | |
| NDB18PFB-4DET TR | DDR2 1GB X8 FBGA 8X10 (X1.2) 800 | ¥0.00 | |
| NDB16PFC-4DET | NDB16PFC-4DET: DDR2 1GB X16 FBGA | ¥0.00 | |
| NDB16PFC-4DET TR | NDB16PFC-4DET: DDR2 1GB X16 FBGA | ¥0.00 | |
| NDB16PFC-5EET | NDB16PFC-4DET: DDR2 1GB X16 FBGA | ¥0.00 | |
| NDB16PFC-4DIT | NDB16PFC-4DIT: DDR2 1GB X16 FBGA | ¥0.00 | |
| NDB56PFC-4DET TR | NDB56PFC-4DET: DDR2 512MB X16 FB | ¥0.00 | |
| NDB56PFC-4DET | NDB56PFC-4DET: DDR2 512MB X16 FB | ¥0.00 |
NDB6060L所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NDB6060L 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NDB6060L价格参考￥17.962392，你可以下载 NDB6060L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NDB6060L规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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