9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4456DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4456DY-T1-GE3价格参考1.48500美元。Vishay Siliconix SI4456DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 33A 8SO。您可以下载SI4456DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4456DY-T1-E3是MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4456DY-E3的零件别名，该SI4456DY_E3提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为7.8W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Ciss Vds为5670pF@20V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为33A（Tc），最大Id Vgs的Rds为3.8 mOhm@20A，10V，Vgs的最大Id为2.8V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为122nC@10V，Pd功耗为3.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns 8 ns，并且上升时间为208纳秒58纳秒，Vgs栅极-源极电压为20伏特，Id连续漏极电流为23安培，Vds漏极-源极击穿电压为40伏特，Rds漏极漏极-漏极电阻为3.8毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为56纳秒55纳秒，典型接通延迟时间为145纳秒21纳秒，沟道模式为增强型。
SI4455DY-T1-E3是MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于-150 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns 11 ns，典型的关闭延迟时间设计为38 ns 52 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为95 ns 28 ns，器件的漏极-源极电阻为295 mOhms，Pd功耗为3.1 W，零件别名为SI4455DY-E3，封装为卷轴，封装外壳为SOIC窄8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-50℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为2 A，下降时间为34 ns 35 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI4455DY，带有SI制造的电路图。SI4455DY在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI4455DY-T1，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4455DY-T1采用SO-8封装，是FET的一部分-单个。
