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FDD5614P

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 3.8W (Ta), 42W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 美森科 (MSKSEMI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
10+ 129.66576 1296.65764
100+ 122.32651 12232.65190
300+ 108.87017 32661.05220
1000+ 96.89373 96893.73400
  • 库存: 623
  • 单价: ¥129.66576
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥129.67
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规格参数

  • 制造厂商 美森科 (MSKSEMI)
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 15A(Ta)
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 部件状态 过时的
  • 最大功耗 3.8W (Ta), 42W (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 759 pF @ 30 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 100毫欧姆@4.5A,10V

FDD5614P 产品详情

PowerTrench®P沟道MOSFET,Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷(Qg)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术,这些设备的FOM(品质因数)显著低于前几代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

  • –15 A,–60 V。
  • RDS(ON)=100 mΩ@VGS=–10 V
  • RDS(开启)=130 mΩ@VGS=–4.5 V
  • 快速切换速度
  • 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
  • 高功率和电流处理能力

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDD5614P所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDD5614P 由 美森科 (MSKSEMI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDD5614P价格参考¥129.665764,你可以下载 FDD5614P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDD5614P规格参数、现货库存、封装信息等信息!

美森科 (MSKSEMI)

美森科 (MSKSEMI)

MSKSEMI(美森科半導體)始創于中國臺灣,是知名半導體分立元器件廠商之一,總部座落于美麗的中國-寶島臺灣新竹市從事于ESD防靜電保護管,TVS管,MOS場效應管,二三極管貼片半導體器件的研發設計及生...

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