9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFIBF20GPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFIBF20GPBF价格参考1.64835美元。Vishay Siliconix IRFIBF20GPBF封装/规格：MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3。您可以下载IRFIBF20GPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFIBE20GPBF是MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP，包括IRF/SIHFBE20系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该器件也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有30W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为17 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58ns，典型接通延迟时间为8.2ns，沟道模式为增强型。
IRFIBE30GPBF是MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为82 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为33 ns，器件的漏极电阻为3欧姆，Pd功耗为35 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为2.1A，下降时间为30ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFIBE30G是由IR制造的MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP。IRFIBE300G可提供TO-220-3全封装、隔离接线片封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH800V 2.1A-TO220FP、N沟道800V 2.1V（Tc）35W（Tc）通孔TO-220-3、Trans-MOSFET N-CH 800 V 2.1A 3引脚（3+Tab）TO-220FP。
IRFIBF20G是由IR制造的MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP。IRFIBF200G可提供TO-220-3全封装、隔离接线片封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH900V 1.2A-TO220FP、N沟道900V 1.2V（Tc）30W（Tc。
