9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF9Z14STRLPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF9Z14STRLPBF价格参考1.09533美元。Vishay Siliconix IRF9Z14STRLPBF封装/规格：MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK。您可以下载IRF9Z14STRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF9Z14LPBF是MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262，包括管封装，其设计为单位重量为0.084199盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供封装盒功能，如I2PAK-3，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，该器件提供3.7 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为31 ns，上升时间为63 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为6.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds导通漏极-漏极电阻为500 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为10 ns，典型接通延迟时间为11 ns，沟道模式为增强。
IRF9Z14PBF是MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为10 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为63 ns，器件的漏极电阻为500 mOhms，Pd功耗为43 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为6.7 A，下降时间为31 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF9Z14SPBF是MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了31 ns的下降时间，提供了6.7 a等Id连续漏极电流特性，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为3.7W，Rds漏极-源极电阻为500mOhm，上升时间为63ns，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1P信道，典型关断延迟时间为10ns，典型开启延迟时间为11ns，单位重量为0.050717oz，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IRF9Z14S是由IR制造的P沟道60V 6.7A（Tc）3.7W（Ta），43W（Tc）表面贴装D2PAK。IRF9Z14S以TO-263封装形式提供，是IC芯片的一部分，支持P沟道60 V 6.7 A（Tc）3.7W。
