XP161A1355PR-G是一种N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻和超高速开关特性。因为高速切换是可能的,所以可以有效地设置IC,从而节省能量。内置栅极保护二极管,防止静电损坏。小型SOT-89封装使得高密度安装成为可能。
特征:
- 低通态电阻
- Rds(开)=0.05Ω@Vgs=4.5V
- Rds(开)=0.07Ω@Vgs=2.5V
- Rds(开)=0.15Ω@Vgs=1.5V
- 超高速开关
- 内置栅极保护二极管
- 驱动电压:1.5V
特色
■
低导通状态电阻:Rds(导通)=0.05Ω@Vgs=4.5V
:Rds(开)=0.07Ω@Vgs=2.5V
:Rds(开)=0.15Ω@Vgs=1.5V
超高速开关
内置栅极保护二极管
驱动电压:1.5V
N沟道功率MOSFET
DMOS结构
小包装:SOT-89
环保:符合欧盟RoHS,无铅
■ 应用
● 笔记本电脑
● 移动电话和便携式电话
● 车载电源
● 锂离子电池系统