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XP161A1355PR-G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: SOT-89 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 特瑞仕 (Torex)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1000

数量 单价 合计
1000+ 2.16707 2167.07600
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  • 单价: ¥2.16708
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Ta)
  • 供应商设备包装 SOT-89
  • 包装/外壳 至243AA
  • 最大功耗 2W(Ta)
  • 制造厂商 特瑞仕 (Torex)
  • 导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 2A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 390 pF @ 10 V

XP161A1355PR-G 产品详情

XP161A1355PR-G是一种N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻和超高速开关特性。因为高速切换是可能的,所以可以有效地设置IC,从而节省能量。内置栅极保护二极管,防止静电损坏。小型SOT-89封装使得高密度安装成为可能。

特征:

  • 低通态电阻
  • Rds(开)=0.05Ω@Vgs=4.5V
  • Rds(开)=0.07Ω@Vgs=2.5V
  • Rds(开)=0.15Ω@Vgs=1.5V
  • 超高速开关
  • 内置栅极保护二极管
  • 驱动电压:1.5V

特色


低导通状态电阻:Rds(导通)=0.05Ω@Vgs=4.5V
:Rds(开)=0.07Ω@Vgs=2.5V
:Rds(开)=0.15Ω@Vgs=1.5V
超高速开关
内置栅极保护二极管
驱动电压:1.5V
N沟道功率MOSFET
DMOS结构
小包装:SOT-89
环保:符合欧盟RoHS,无铅
 
■ 应用
● 笔记本电脑
● 移动电话和便携式电话
● 车载电源
● 锂离子电池系统

XP161A1355PR-G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),XP161A1355PR-G 由 特瑞仕 (Torex) 设计生产,可通过久芯网进行购买。XP161A1355PR-G价格参考¥2.167076,你可以下载 XP161A1355PR-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询XP161A1355PR-G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

特瑞仕 (Torex)

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