XP162A11C0PR-G是一种P沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高速开关特性。因为高速切换是可能的，所以可以有效地设置IC，从而节省能量。内置栅极保护二极管，防止静电损坏。小型SOT-89封装使得高密度安装成为可能。
特色
- 低通态电阻
- ：Rds（开）=0.15Ω@Vgs=-10V
- ：Rds（开）=0.28Ω@Vgs=-4.5V
- 超高速开关
- 驱动电压：-4.5V
- 内置栅极保护二极管
XP162A11C0PR-G
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: SOT-89 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 特瑞仕 (Torex)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1000+ | 2.16707 | 2167.07600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥2.16708
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,167.08
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 场效应管类型 P-通道
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 供应商设备包装 SOT-89
- 包装/外壳 至243AA
- 最大功耗 2W（Ta）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.5A（Ta）
- 制造厂商 特瑞仕 (Torex)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 280 pF@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 150欧姆@1.5A，10V
- 色彩/颜色 White
XP162A11C0PR-G 产品详情
XP162A11C0PR-G 相关器件
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XP162A11C0PR-G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，XP162A11C0PR-G 由 特瑞仕 (Torex) 设计生产，可通过久芯网进行购买。XP162A11C0PR-G价格参考￥2.167076，你可以下载 XP162A11C0PR-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询XP162A11C0PR-G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
特瑞仕 (Torex)
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