9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7788DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7788DP-T1-GE3参考价格为1.53450美元。Vishay Siliconix SI7788DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8。您可以下载SI7788DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7772DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8，包括卷筒包装，它们设计用于SI7772DP-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SO-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单肖特基二极管，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有29.8 W的Pd功耗，Vgs栅极-源极电压为2.5 V，Id连续漏极电流为35.6 a，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为13 mΩ，晶体管极性为N沟道。
Si7784DP-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。Si7784DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SI7784DP-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8。SI7784DP-T1-GE3在PowerPAK®SO-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8、N沟道30V 35V（Tc）5W（Ta）、27.7W（Tc）表面安装PowerPAK？SO-8，Trans MOSFET N-CH 30V 21.5A 8引脚PowerPAK SO T/R。
