9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4427BDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4427BDY-T1-GE3参考价格为0.97350美元。Vishay Siliconix SI4427BDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO。您可以下载SI4427BDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4427BDY-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI4427BDY-T1中使用的零件别名，该SI4427BDY-T1提供单位重量功能，例如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数量的通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为1.5W，晶体管类型为1个P通道，漏极到源极电压Vdss为30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为9.7A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为10.5 mOhm@12.6A，10V，Vgs最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为70nC@4.5V，Pd功耗为1.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为15纳秒，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为9.7A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds导通漏极-漏极电阻为10.5mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为242ns，典型接通延迟时间为12ns，沟道模式为增强。
SI4426DY-T1-E3是MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如40纳秒，典型的关闭延迟时间设计为90纳秒，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为40 ns，器件的漏极-源极电阻为25 mOhms，Pd功耗为1.5 W，零件别名为SI4426DY-E3，封装为卷轴，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6.5A，下降时间为40ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI4426DY-T1是Vishay制造的Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8引脚SOIC N T/R。SI4426DY-T1在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个，支持Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8引脚SOIC N T/R。
SI4427，带有SI制造的EDA/CAD模型。SI4427可在SOP8封装中获得，是FET的一部分-单个。
