9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF730SPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF730SPBF价格参考1.26885美元。Vishay Siliconix IRF730SPBF封装/规格：MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK。您可以下载IRF730SPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF730PBF是MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TO-220AB供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为74W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为400V，输入电容Cis-Vds为700pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5.5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为1 Ohm@3.3A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为38nC@10V，Pd功耗为74 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为5.5A，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Rds导通漏极-漏极电阻为1欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IRF730N带有由IR制造的用户指南。IRF730N采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
IRF730S是由IR制造的MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK。IRF730S可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH400V 5.5A D2 Pak、N通道400V 5.5A（Tc）3.1W（Ta）、74W（Tc。
