9icnet为您提供德州仪器公司设计和生产的TPS1101DR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TPS1101DR参考价格为1.27400美元。德州仪器TPS1101DR封装/规格：MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC。您可以下载TPS1101DR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如TPS1101DR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
TPS1100PWR是MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP，包括TPS1100系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001376盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于TSSOP-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单四漏三源，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有0.504 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅源电压为-15 V，Id连续漏极电流为1.27A，Vds漏极-源极击穿电压为-15V，Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为4.5ns，正向跨导最小值为2.5S，沟道模式为增强。
TPS1101D是MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC，包括-15 V 2 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在15 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002677盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如6.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为19 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为TPS1101系列，该器件的上升时间为5.5 ns，漏极电阻Rds为90 mOhms，Pd功耗为791mW，封装为管，封装外壳为SOIC-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-40℃，其最大工作温度范围为+125 C，Id连续漏电流为2.3 A，下降时间为5.5 ns，配置为单四漏三源，通道模式为增强。
TPS1100YD，带有TI制造的电路图。TPS1100YD采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
