9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR214TRRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR214TRRPBF参考价格0.69135美元。Vishay Siliconix IRFR214TRRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK。您可以下载IRFR214TRRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IRFR214TRRPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRFR214TRLPBF是MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为7.6 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为2.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds漏极漏极-漏极电阻为2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
IRFR214TRPBF是MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns，典型的关闭延迟时间设计为16 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为7.6 ns，器件的漏极-源极电阻为2欧姆，Pd功耗为2.5 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为2.2A，下降时间为7ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFR214TR是由IR制造的N通道250V 2.2A（Tc）2.5W（Ta）、25W（Tc）表面贴装D-Pak。IRFR214TR可采用TO-252封装，是IC芯片的一部分，支持N通道250W 2.2A（Tc）2.5W。
