9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMT12H65LFDF-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMT12H65LFDF-7参考价格为0.39652美元。Diodes Incorporated DMT12H65LFDF-7封装/规格：MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN。您可以下载DMT12H065LFDF-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMT10H015LFG-13带有引脚细节，包括DMT10系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002540盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于PowerDI，以及PowerDI-3333封装盒，该设备也可用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有2 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8.1 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为42 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为13.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19.7ns，典型接通延迟时间为6.5ns，Qg栅极电荷为33.3nC，沟道模式为增强。
DMT10H015LFG-7是MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W，包括2 V Vgsth栅极-源极阈值电压，它们设计为在10 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供单位重量功能，如0.002540盎司，典型开启延迟时间设计为6.5 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PowerDI商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为DMT10，上升时间为7ns，漏极-源极电阻Rds为13.5mOhm，Qg栅极电荷为33.3nC，Pd功耗为2W，封装为Reel，封装盒为PowerDI-3333，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为42 A，下降时间为8.1 ns，通道模式为增强型。
DMT10H010LSS-13是MOSFET MOSFET BVDSS，包括增强信道模式，它们设计为在1 N信道配置下工作，数据表注释中显示了22 ns的下降时间，提供了29.5 a等Id连续漏电流特性，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用SO-8封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为1.9 W，Qg栅极电荷为53.7 nC，Rds漏极-源极电阻为14.5 mOhm，上升时间为14.1 ns，系列为DMT10H010，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为42.9ns，典型接通延迟时间为11.6ns，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Vgs栅-源极阈值电压为1.4V。
DMT10H010LPS-13是MOSFET 100V N-Ch Enh FET低Rdson，包括卷筒封装，设计用于DMT10H010系列。
