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DMP1011LFV-13

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 2.16W 供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

数量 单价 合计
3000+ 2.19959 6598.78800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥2.19960
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6,598.79
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
  • 场效应管类型 P-通道
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -6伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 12伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
  • 供应商设备包装 PowerDI3333-8
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 19A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 11.7毫欧姆@12A,4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9.5 nC @ 6 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 913 pF@6 V
  • 最大功耗 2.16W

DMP1011LFV-13 产品详情

该MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持优异的开关性能,是高效电源管理应用的理想选择。

特色

  • 低RDS(ON)–确保最大限度地减少ON状态损耗
  • 小尺寸热效率封装可实现更高密度的最终产品
  • SO-8仅占据了33%的板面积,从而实现了更小的最终产品
  • ESD保护敢达3KV
  • 完全无铅且完全符合RoHS
  • 无卤素和锑。“绿色”设备
  • 符合AEC-Q101高可靠性标准

应用

  • 背光
  • 电源管理功能
  • DC-DC转换器
DMP1011LFV-13所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMP1011LFV-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMP1011LFV-13价格参考¥2.199596,你可以下载 DMP1011LFV-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMP1011LFV-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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