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SI7806ADN-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8，包括卷轴封装，它们设计为与SI7806ADNV-E3零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供TrenchFET/PPowerPAK等商标功能，封装盒设计为在PowerPAK-1212-8中工作，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极导通电阻为11mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为13ns，沟道模式为增强型。
SI7806ADN和SI制造的用户指南。SI7806ADNQFN1212-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI7806ADN-T1-E3-PBF，带有VISHAY制造的电路图。SI7806ADN-T1-E3-PBF采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
