9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7846DP-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7846DP-T1-E3价格参考2.56000美元。Vishay Siliconix SI7846DP-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8。您可以下载SI7846DP-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7844DP-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR封装一起工作，数据表说明中显示了用于PowerPAKR SO-8 Dual的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计为在表面安装中工作，该器件也可以用作2N沟道（双）FET型。此外，功率最大值为1.4W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有FET功能的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6.4A，最大Id Vgs的Rds为22mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为2.4V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V。
SI7846DP，带有VISHAY制造的用户指南。SI7846DP在QFN封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI7846DP-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI7846DP-T1在PPAKSO-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
