DMP6185SEQ-13
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 2.2W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 2500
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 2500+ | 1.14104 | 2852.61500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥1.14105
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,852.62
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 场效应管类型 P-通道
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 14 nC@10 V
- 包装/外壳 至261-4，至261AA
- 供应商设备包装 SOT-223
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3A (Ta)
- 最大功耗 2.2W（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 150欧姆@2.2A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 708 pF @ 30 V
DMP6185SEQ-13 产品详情
P沟道MOSFET，40V至90V，二极管公司
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DMP6185SEQ-13所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMP6185SEQ-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMP6185SEQ-13价格参考￥1.141046，你可以下载 DMP6185SEQ-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMP6185SEQ-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
