9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AOTF10N50FD，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AOTF10N50FD价格参考1.28876美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AOTF10N50FD封装/规格：MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3F。您可以下载AOTF10N50FD英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AOTF10B60D是IGBT 600V 20A 42W TO220F，包括Alpha IGBT？系列，它们设计用于管式包装，数据表注释中显示了用于to-220-3全包装的包装盒，该包装盒提供标准等输入类型功能，安装类型设计用于通孔，以及to-220-3F供应商设备包装，该设备也可以用作42W最大功率。此外，反向恢复时间trr为105ns，该设备提供20A电流收集器Ic Max，该设备具有600V电压收集器发射器击穿最大值，电流收集器脉冲Icm为40A，最大Vge Ic上的Vce为1.8V@15V，10A，开关能量为260μJ（开），70μJ（关），栅极电荷为17.4nC，25°C下的Td为10ns/72ns，测试条件为400V，10A，30欧姆，15V。
带用户指南的AOTF10B65M1，包括650V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2V@15V、10A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，适用于400V、10A、30欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如12ns/91ns，开关能量设计为在180μJ（开）、130μJ（关）下工作，除了TO-220供应商器件包，该器件还可以用作Alpha IGBT？系列此外，反向恢复时间trr为263ns，该器件的最大功率为30W，该器件具有一个封装管，封装盒为TO-220-3，安装类型为通孔，输入类型为标准，栅极电荷为24nC，集流器脉冲Icm为30A，集流管Ic最大值为20A。
带有电路图的AOTF10B65M2，包括20A集流器Ic Max，它们设计为与30A集流器脉冲Icm一起工作，数据表注释中显示了用于24nC的栅极电荷，该24nC提供输入类型功能，如标准，安装类型设计为在通孔中工作，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作管封装。此外，最大功率为30W，设备提供262ns反向恢复时间trr，设备具有Alpha IGBT？系列，供应商设备包为TO-220，开关能量为180μJ（开）、130μJ（关），25°C时的Td为12ns/91ns，测试条件为400V、10A、30 Ohm、15V，Vce on Max Vge Ic为2V@15V、10A，电压集电极-发射极击穿最大值为650V。
