9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRLD120PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLD120PBF价格参考1.83000美元。Vishay Siliconix IRLD120PBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP。您可以下载IRLD120PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRLD024PBF是MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP，包括管封装，它们设计用于通孔安装方式，数据表注释中显示了用于4-DIP（0.300“，7.62mm）的包装箱，该包装箱具有Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），以及通孔安装类型，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，供应商设备包为4-DIP、Hexdip、HVMDIP，该设备采用单双漏极配置，该设备具有MOSFET N沟道、FET型金属氧化物，最大功率为1.3W，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为870pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.5A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为100 mOhm@1.5A，5V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为18nC@5V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为110 ns，上升时间为110纳秒，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为2.5A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为100mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为11ns，沟道模式为增强。
IRLD120是MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp，包括10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，典型的开启延迟时间如数据表注释所示，用于9.8 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如21 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为64 ns，器件的漏极电阻为270 mOhms Rds，器件具有1.3 W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为HVMDIP-4，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为1.3A，下降时间为64ns，配置为单双漏，通道模式为增强。
IRLD110PBF是MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP，包括增强通道模式，它们设计用于单双漏极配置，下降时间显示在数据表注释中，用于47ns，提供Id连续漏极电流功能，如1A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用HVMDIP-4封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为1.3W，Rds漏极-源极电阻为540欧姆，上升时间为47ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为16ns，典型的导通延迟时间为9.3ns，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为10V。
IRLD110是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP。IRLD110可提供4-DIP（0.300“，7.62mm）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH100V 1A 4-DIP、N沟道100V 1A（Ta）1.3W（Ta）通孔4-DIP、Hexdip、HVMDIP、Trans MOSFET N-CH200V 1A 4-引脚HVMDIP。
