9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7230DN-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7230DN-T1-E3参考价格为1.52000美元。Vishay Siliconix SI7230DN-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8。您可以下载SI7230DN-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7228DN-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI7228DN-GE3的零件别名，该SI7228DN GE3提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8 Dual以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR 1212-8双重供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 N通道（双重），最大功率为23W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为480pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为26A，最大Id Vgs上的Rds为20 mOhm@8.8A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为13nC@10V，Pd功耗为2.6W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为12nS 10nS，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为8.8A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为20mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns 15ns，典型导通延迟时间为13ns 5ns，沟道模式为增强型。
SI7228DN和VHSHAY制造的用户指南。SI7228DN在QFN封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI7230DN，带有VISHAY制造的电路图。SI7230DN采用DFN-8封装，是FET的一部分-单个。
