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AOTF25S65

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 制造厂商 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 25A(Tc)
  • 最大功耗 50W (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-220F
  • 导通电阻 Rds(ON) 190毫欧姆@12.5A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 26.4 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1278 pF@100 V

AOTF25S65 产品详情

AOT25S65、AOB25S65和AOTF25S65采用先进的αMOSTM高压工艺制造,旨在在开关应用中提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS(开启)、Qg和EOSS以及保证的雪崩能力,这些部件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。

产品概要
VDS@Tj,最大750V
IDM 104A型
RDS(开启),最大0.19Ω
Qg,典型值26.4nC
Eoss@400V 5.8µC
100%UIS测试
100%Rg测试

 

AOTF25S65所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AOTF25S65 由 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AOTF25S65价格参考¥15.448381,你可以下载 AOTF25S65中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AOTF25S65规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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