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PSMN3R0-30YLDX是MOSFET 30V N沟道3.0mOhm，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于LFPAK-4，提供Si等技术特性，沟道数设计用于1沟道，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作91W Pd功率耗散。此外，下降时间为12.4 ns，器件的上升时间为21 ns，器件具有2.2 V的Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为100 a，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs第栅极-源阈值电压为2.2 V，Rds漏极源极电阻为4 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16.9ns，典型接通延迟时间为13.5ns，Qg栅极电荷为46.4nC，信道模式为增强。
PSMN3R0-30YL，115是MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK，包括2.15V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于LFPAK、Power-SO8供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于3 mOhm@15A、10V，提供功率最大功能，如81W，包装设计用于Digi-ReelR替代包装，以及SC-100、SOT-669，4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2822pF@12V输入电容Ciss Vds，该器件具有45.8nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平栅极，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为100A（Tc）。
PSMN3R0-60，带有NXP制造的电路图。PSMN3R0-60采用TO-220封装，是FET的一部分-单个。
PSMN3R0-60BS，带有NXP/PH制造的EDA/CAD模型。PSMN3R0-60BS采用I2PAK封装，是FET的一部分-单个。
