9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFIBF30GPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFIBF30GPBF参考价格为2.14500美元。Vishay Siliconix IRFIBF30GPBF封装/规格：MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3。您可以下载IRFIBF30GPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFIBE30GPBF是MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供35 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为33 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为82ns，典型接通延迟时间为12ns，沟道模式为增强。
IRFIBE30G是由IR制造的MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP。IRFIBE300G可提供TO-220-3全封装、隔离接线片封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH800V 2.1A-TO220FP、N沟道800V 2.1V（Tc）35W（Tc）通孔TO-220-3、Trans-MOSFET N-CH 800 V 2.1A 3引脚（3+Tab）TO-220FP。
IRFIBF20G是由IR制造的MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP。IRFIBF200G可提供TO-220-3全封装、隔离接线片封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH900V 1.2A-TO220FP、N沟道900V 1.2V（Tc）30W（Tc。
IRFIBF30G是由IR制造的MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP。IRFIBF300G可提供TO-220-3全封装、隔离接线片封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH900V 1.9A-TO220FP、N沟道900V 1.9V（Tc）35W（Tc。
