特色
- 采用MOSFET和肖特基二极管的无引线SMD封装
- 比具有类似热特性的TSOP-6封装小40%
- 每个设备的独立引脚，以简化电路设计
- 超低VF肖特基
应用
- 锂离子电池充电
- 高压侧DC-DC转换电路
- 小型无刷直流电机的高压侧驱动
- 便携式电池供电产品中的电源管理
NTHD4P02FT1G
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A（Tj） 最大功耗: 1.1W（Tj） 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 978
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 2.90389 | 8711.68800 |
- 库存: 550651
- 单价: ¥2.24530
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,195.90
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V
- 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
- 场效应管特性 肖特基二极管（隔离）
- 供应商设备包装 ChipFET
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 300 pF @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.2A（Tj）
- 导通电阻 Rds(ON) 155毫欧姆@2.2A，4.5V
- 最大功耗 1.1W（Tj）
NTHD4P02FT1G 产品详情
功率MOSFET-20V-3A 155mΩ双P沟道ChipFET™3.0 A肖特基势垒二极管
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 | NTHS0805N03N3300KE | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 330 阻值公差: ±10% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥43.5588 |
 | NTHS0805N04N3303JU | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 330k 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥6.78687 |
 | NTHS0805N06N2001JE | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 2K 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 安装类别: 表面安装 | ¥5.50891 |
NTHD4P02FT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTHD4P02FT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTHD4P02FT1G价格参考￥2.245299，你可以下载 NTHD4P02FT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTHD4P02FT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
