9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMTH610SPS-13,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。DMTH610SPS-13参考价格为0.40132美元。Diodes Incorporated DMTH610SPS-13封装/规格:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060。您可以下载DMTH610SPS-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMTH610LPS-13带有引脚细节,包括DMTH6100系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.003386盎司,提供SMD/SMT等安装样式功能,商品名设计用于PowerDI,以及PowerDI5060-8封装盒,该设备也可作为Si技术使用。此外,信道数为1信道,该器件为1 N信道晶体管类型,该器件具有2.6 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+175 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为9.7 ns,上升时间为4.3 ns,Vgs栅源电压为10 V,并且Id连续漏极电流为100A,Vds漏极-源极击穿电压为60V,Vgs栅极-源极阈值电压为3V,Rds导通漏极-漏极电阻为8mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为23.4ns,典型接通延迟时间为5.7ns,Qg栅极电荷为41.3nC,沟道模式为增强。
DMTH610LPD-13,带用户指南,包括3V@250μA Vgs th Max Id,它们设计为与PowerDI5060-8供应商设备包一起工作,系列如数据表注释所示,用于汽车AEC-Q101,提供Rds on Max Id Vgs功能,如11 mOhm@20A、10V,功率最大设计为2.8W,以及Digi-ReelR替代包装包装,该器件也可用作8功率TDFN封装盒,其工作温度范围为-55°C~175°C(TJ),该器件为表面安装型,该器件具有2615pF@30V输入电容Cis-Vds,栅极电荷Qg-Vgs为40.2nC@10V,FET类型为2 N通道(双),FET特性为标准,漏极至源极电压Vdss为60V,25°C的电流连续漏电流Id为13.1A(Ta)、47.6A(Tc)。
DMTH610LPSQ-13带电路图,包括卷筒包装,设计用于DMTH6100系列,数据表注释中显示了用于Si的技术。
DMTH610SCT,带EDA/CAD模型,包括管包装。