9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP26N60M2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP26N60M2参考价格为1.72865美元。STMicroelectronics STP26N60M2封装/规格：MOSFET N沟道600V 20A TO220。您可以下载STP26N60M2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP260N6F6是MOSFET N-CH 60V 120A TO220，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于管封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，晶体管类型为1N沟道，器件提供300W Pd功耗，器件的下降时间为62.6ns，上升时间为165ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs第h栅极-源阈值电压为4V，Rds漏极-源极电阻为2.4mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为183nC。
STP25NM60ND是MOSFET N-CH 600V 21A TO-220，包括5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与TO-220AB供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于FDmesh？二、 提供Rds On Max Id Vgs功能，例如160 mOhm@10.5A，10V，Power Max设计用于160W，以及管封装，该设备也可以用作to-220-3封装盒，其工作温度范围为150°C（TJ），该设备为通孔安装型，该设备具有2400pF@50V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为80nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极至源极电压Vdss为600V，电流连续漏极Id 25°C为21A（Tc）。
STP265N6F6AG带有电路图，包括通孔安装型，它们设计用于to-220-3封装盒，包装如数据表注释所示，用于管，提供N沟道STripFET等系列功能，技术设计用于硅，以及0.011640盎司单位重量。
STP25NM60N是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 21A TO-220。STP25NM60N以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH600V 21A TO-220、N沟道600V 21A（Tc）160W（Tc）通孔TO-220AB、跨MOSFET N-CH2600V 21A 3引脚（3+Tab）TO-220管。
