9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2066LDMQ-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2066LDMQ-7参考价格为0.16112美元。Diodes Incorporated DMP2066LDMQ-7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26。您可以下载DMP2066LDMQ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP2047UCB4-7，带有引脚细节，包括DMP2047系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如U-WLB1010-4，技术设计用于Si，以及单一配置，该设备也可以用作1.66 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为38 ns，上升时间为10.7 ns，Vgs栅极-源极电压为-6 V，Id连续漏极电流为-4.1 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Vgs栅-源极阈值电压为-800 mV，Rds导通漏极-源极电阻为40mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为48ns，典型接通延迟时间为7.9ns，Qg栅极电荷为2.3nC，正向跨导最小值为3.7S，沟道模式为增强。
DMP2060UFDB-13带用户指南，包括1.4V@250μA Vgs th Max Id，设计用于2 P沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于P沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于U-DFN2020-6以及DMP2060系列，该设备也可用于90 mOhm@2.9A，4.5V Rds最大Id Vgs。此外，最大功率为1.4W，该设备采用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，该设备具有6-UDFN封装盒暴露垫，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为881pF@10V，栅极电荷Qg-Vgs为18nC@8V，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为3.2A。
DMP2060UFDB-7带电路图，包括3.2A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在18nC@8V下工作，以及881pF@10V输入电容Cis Vds，该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备具有6-UDFN封装盒暴露垫，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为1.4W，最大Id Vgs的Rds为90mOhm@2.9A，4.5V，系列为DMP2060，供应商设备封装为U-DFN2020-6，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为2P沟道，Vgs th最大Id为1.4V@250μA。
