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PSMN4R3-100PS,127是MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB,包括管封装,它们设计为与to-220-3封装盒一起工作,其工作温度范围为-55°C~175°C(TJ),提供安装型功能,如通孔,供应商器件封装设计为在to-220AB中工作,该器件还可以用作338W最大功率。此外,漏极到源极电压Vdss为100V,该器件提供9900pF@50V输入电容Cis-Vds,该器件具有FET特性标准,25°C的电流连续漏极Id为120A(Tc),最大Id Vgs上的Rds为4.3mOhm@25A,10V,Vgs th最大Id为4V@1mA,栅极电荷Qg-Vgs为170nC@10V。
带有NXP制造的用户指南的PSMN4R3-30BL。是FET的一部分-单个。
PSMN4R3-30PL是NXP制造的MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB。PSMN4R3-30PL在TO-220-3封装中提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB。
PSMN4R4-80BS,带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN4R4-80BS在SOT-252封装中提供,是FET的一部分-单个。