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PMPB10XNEZ带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，数据表注释中显示了用于DFN2020MD-6的封装盒，该DFN2020MD 6提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及单配置，该设备也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为12.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为50ns，上升时间为35ns，Vgs栅极-源极电压为+/-12V，Id连续漏极电流为12.9A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为400mV，Rds漏极-源极电阻为25mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为54ns，典型接通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为23nC，正向跨导Min为60S，沟道模式为增强。
PMPB15XPH带有用户指南，包括Si技术，它们设计用于卷筒包装。
PMPB15XPZ带有电路图，包括卷筒包装，它们设计为使用硅技术操作。
PMPB15XP，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PMPB15XP采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
