9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL28N60DM2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL28N60DM2参考价格$2.55447。STMicroelectronics STL28N60DM2封装/规格：MOSFET N-CH 60V 21A PWRFLAT 8X8。您可以下载STL28N60DM2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STL260N3LLH6带有引脚细节，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如PowerFlat-8，技术设计用于Si，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，Pd功耗为166 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为54 ns，上升时间为32 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为260 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs栅-源极阈值电压为1 V，Rds漏极-源极电阻为1.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为107.5ns，典型接通延迟时间为22.5ns，Qg栅极电荷为61.5nC，沟道模式为增强。
STL26NM60N是MOSFET N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于25 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道，该器件也可以用作N沟道MDmesh系列。此外，上升时间为25 ns，器件提供160 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有60 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为3 W，封装为卷轴，封装盒为PowerFlat-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为19 a，下降时间为50 ns。
STL272D，带有由ST制造的电路图。STL272D以SOP16封装形式提供，是IC芯片的一部分。
