特色
- RDS（开启）=2.3mΩ （典型）@VGS=10V，ID=80A
- QG（总计）=142nC（典型值）
- 低米勒电荷，QGD=32nC（典型值）
- UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
- 符合AEC Q101
- 符合RoHS
应用
- 其他工业
- AC-DC商用电源
- AC-DC商用电源-服务器和工作站
- 工业电动机
- 电动工具
- 电机驱动器
- 不间断电源
FDB8443
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Ta）、120A（Tc） 最大功耗: 188W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 800
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 800+ | 18.56862 | 14854.89840 |
- 库存: 4800
- 单价: ¥18.56862
-
数量:
- +
- 总计: ¥14,854.90
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 185 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9310 pF@25 V
- 最大功耗 188W（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 3毫欧姆 @ 80A, 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 25A（Ta）、120A（Tc）
FDB8443 产品详情
N沟道PowerTrench®MOSFET 40V，182A，3mΩ
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| FDBD-25S-610A600(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥285.86278 |
FDB8443所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDB8443 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDB8443价格参考￥18.568623，你可以下载 FDB8443中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDB8443规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
