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FCPF260N65FL1-F154
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FCPF260N65FL1-F154

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1000

数量 单价 合计
1000+ 12.55592 12555.92900
  • 库存: 0
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  • 数量:
    - +
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 供应商设备包装 TO-220F-3
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 1.5毫安
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 15A(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 60 nC @ 10 V
  • 最大功耗 36W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 260毫欧姆@7.5A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2340 pF@100 V

FCPF260N65FL1-F154 产品详情

SuperFET®II MOSFET是一种全新的高压超结(SJ)MOSFET系列,它利用电荷平衡技术实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项技术旨在最小化传导损耗,提供优异的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET非常适合开关电源应用,如PFC、服务器/电信电源、FPD TV电源、ATX电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET®MOSFET的优化体二极管反向恢复性能可以去除额外的组件并提高系统可靠性。

特色

  • 700伏@TJ=150°C
  • RDS(开)=220 mΩ(典型值)
  • 超低栅极电荷(典型Qg=46 nC)
  • 低有效输出电容(典型cos(eff.)=223 pF)
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS
FCPF260N65FL1-F154所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FCPF260N65FL1-F154 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FCPF260N65FL1-F154价格参考¥12.555929,你可以下载 FCPF260N65FL1-F154中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FCPF260N65FL1-F154规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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