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FDP047AN08A0是MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB，包括管封装，它们设计为与FDP047AN08A0_NL零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.063493盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-220-3中工作，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有310 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为88 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为80 a，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Rds漏极源极导通电阻为4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为18ns，沟道模式为增强型。
FDP045N10A_F102带有用户指南，包括4 V Vgs第四栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供单位重量功能，如0.063493 oz，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，上升时间为26 ns，器件提供3.8 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有57 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为263 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏极电流为120 a，前向跨导Min为132S，下降时间为15ns，配置为Single。
FDP047AN08，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDP047AN08在TO-220F封装中提供，是FET的一部分-单个。
