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PSMN5R5-60YS，115是MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于LFPAK、Power-SO8、，除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外，该器件还可以用作130W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为60V，该器件提供3501pF@30V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为100A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为5.2mOhm@15A、10V，Vgs th最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为56nC@10V。
PSMN5R0-80PS.127，带有NXP制造的用户指南。PSMN5R0-80PS.127采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
PSMN5R5-60YS，带有NXP制造的电路图。PSMN5R5-60YS采用LFPAK56封装，是FET的一部分-单个。
PSMN5R6-100B，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN5R6-100B在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单。
