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SI7326DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8，包括卷盘封装，它们设计为与SI7326DN-GE3部件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如PowerPAK-1212-8，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供1.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为12纳秒，Vgs栅源电压为25 V，Id连续漏电流为6.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为195mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
SI7326DN-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于8 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如32 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为12 ns，器件的漏极电阻为195 mOhms Rds，器件具有1.5 W的Pd功耗，零件别名为SI7326DN-E3，封装为卷轴式，封装外壳为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6.5A，下降时间为12ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7326DN，带有VISHAY制造的电路图。SI7326DN在QFN封装中提供，是FET的一部分-单个。
