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FDB0630N1507L带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.056438盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供to-263-7等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供300 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为31 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为130 A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为26mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为33ns，Qg栅极电荷为97nC，正向跨导最小值为63S，沟道模式为增强。
FDB070AN06A0是MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.046296盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为27 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为159 ns，器件的漏极-源极电阻为6.1 mOhms，Pd功耗为175 W，零件别名为FDB070AN06A0_NL，封装为卷筒，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为35 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDB0690N1507L带有电路图，包括卷筒包装，它们设计为使用Si技术操作。
