久芯网

FDB045AN08A0

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta)、90A(Tc) 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 28.60945 28.60945
10+ 25.69056 256.90566
100+ 21.05148 2105.14890
800+ 17.92060 14336.48000
1600+ 17.17472 27479.56320
  • 库存: 0
  • 单价: ¥23.53943
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥28.61
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 漏源电压标 (Vdss) 75 V
  • 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
  • 最大功耗 310W (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 138 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6600 pF @ 25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.5毫欧姆 @ 80A, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 19A(Ta)、90A(Tc)

FDB045AN08A0 产品详情

N沟道PowerTrench®MOSFET 75 V,80 A,4.5 mΩ最新的屏蔽栅PowerTrench™MOSFET结合了较小的QSYNC和软反向恢复本征体二极管性能以及快速开关,可以显著提高同步整流的效率。

特色

  • RDS(开启)=3.9mΩ (典型)@VGS=10V,ID=80A
  • QG(总)=92nC(典型)@VGS=10V
  • 低米勒电荷
  • 低Qrr体二极管
  • UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
  • 符合AEC Q101,以前为开发型82684

应用

  • AC-DC商用电源-服务器和工作站
  • 工作站
  • 服务器和大型机
  • 其他工业
  • 电动自行车
FDB045AN08A0所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDB045AN08A0 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDB045AN08A0价格参考¥23.539425,你可以下载 FDB045AN08A0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDB045AN08A0规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部