该高压器件是STMicroelectronics利用SuperMESH技术开发的N沟道功率MOSFET,该技术是对成熟的PowerMESH的优化。除了导通电阻的显著降低外,该器件的设计确保了在最苛刻的应用中具有高水平的dv/dt能力。
特色
- 极高的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 网关费用最小化
起订量: 3000
数量 | 单价 | 合计 |
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3000+ | 6.84070 | 20522.10600 |
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该高压器件是STMicroelectronics利用SuperMESH技术开发的N沟道功率MOSFET,该技术是对成熟的PowerMESH的优化。除了导通电阻的显著降低外,该器件的设计确保了在最苛刻的应用中具有高水平的dv/dt能力。
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