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CSD17313Q2Q1T是MOSFET Automotive 30-V N沟道NexFET？功率MOSFET 6-WSON-55至150，包括CSD17313Q2Q1系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如WSON-6，信道数设计用于1信道，以及单配置，该器件也可以用作1 N信道晶体管类型。此外，Pd功耗为17W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为1.3 ns，上升时间为3.9 ns，Vgs栅极-源极电压为+10V/-8 V，Id连续漏极电流为5A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为1.3V，Rds漏极-源极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为4.2ns，典型接通延迟时间为2.8ns，Qg栅极电荷为2.1nC，正向跨导最小值为16S，沟道模式为增强。
CSD17313Q2T是TI制造的“MOSFET 30V”。CSD17313Q1T以SON-6封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 30 V、Trans MOSFET N-CH Si 30 V 7.3A 6引脚WSON EP T/R、MOSFET 30伏、N沟道NexFET功率MOSFET”。
CSD17322Q5A是TI制造的“MOSFET 30V”。CSD17322Q 5A采用SON-8封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 30 V、N沟道30V 87A（Tc）3W（Ta）表面安装8-VSON（5x6）、MOSFET 30伏、NCh Nex FET功率MOSFET”。
