9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的VP2206N3-G-P003，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VP2206N3-G-P003参考价格$1.91401。Microchip Technology VP2206N3-G-P003封装/规格：MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3。您可以下载VP2206N3-G-P003英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VP2206N3-G P013带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.016000盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-92-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-640 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds漏极源极导通电阻为1.5欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为16 ns，典型接通延迟时间为4 ns，沟道模式为增强。
VP2206N3-G P014带有用户指南，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如4 ns，典型的关闭延迟时间设计为16 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为16 ns，器件的漏极-源极电阻为1.5欧姆，Pd功耗为1 W，封装为卷轴，封装盒为TO-92-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-640 mA，下降时间为22 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
VP2206N3-G-P003，带有电路图，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了22 ns的下降时间，提供了Id连续漏电流功能，如-640 mA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件在TO-92-3封装盒中提供，该器件具有一卷封装，Pd功耗为1 W，Rds导通漏极源极电阻为1.5欧姆，上升时间为16 ns，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1 P信道，典型关断延迟时间为16纳秒，典型的开启延迟时间为4ns，单位重量为0.016000盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Vgs栅极-源极电压为20V。
VP2206N3-G P005，带EDA/CAD型号，包括TO-92-3封装盒，它们设计为以通孔安装方式运行。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供了卷轴等封装功能，晶体管极性设计为在P通道以及增强通道模式下工作，该器件也可以用作1.5欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，晶体管类型为1 P通道，器件提供1通道数量的通道，器件具有0.016000盎司的单位重量，Id连续漏电流为-640 mA，Vds漏源击穿电压为-60 V。
