9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF640PBF-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF640PBF-BE3参考价格为2.08000美元。Vishay Siliconix IRF640PBF-BE3封装/规格：MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB。您可以下载IRF640PBF-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF640NSTRRPBF是MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供150 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.5 ns，上升时间为19 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为18 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为150m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为44.7nC，正向跨导最小值为6.8S，并且信道模式是增强。
IRF640NSTRLPBF是MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为23 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在19 ns上升时间内提供，器件具有150 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为44.7 nC，Pd功耗为150 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为18 A，正向跨导最小值为6.8 S，下降时间为5.5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF640NSTRPBF带有由IR制造的电路图。IRF640INSTRPBF采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
