AOT12N60和AOTF12N60采用先进的高压MOSFET工艺制造,该工艺设计用于在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS(开)、Cis和Crss以及保证的雪崩能力,这些部件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
特色
VDS(V)=700V@150°C
ID=12A
RDS(开)<0.55Ω(VGS=10V)
起订量: 1000
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1000+ | 6.26141 | 6261.41500 |
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AOT12N60和AOTF12N60采用先进的高压MOSFET工艺制造,该工艺设计用于在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS(开)、Cis和Crss以及保证的雪崩能力,这些部件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
VDS(V)=700V@150°C
ID=12A
RDS(开)<0.55Ω(VGS=10V)
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