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FDB15N50

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 24.19128 24.19128
10+ 21.74318 217.43186
100+ 17.81681 1781.68100
800+ 15.16706 12133.65360
1600+ 14.53577 23257.24160
  • 库存: 0
  • 单价: ¥24.19129
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥24.19
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 500 V
  • 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
  • 最大功耗 300W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 15A(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 41 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1850 pF@25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 380毫欧姆 @ 7.5A, 10V
  • 色彩/颜色 灰色
  • 材质 -

FDB15N50 产品详情

单场效应晶体管™ N沟道MOSFET,Fairchild半导体

单场效应晶体管™ MOSFET是Fairchild Semiconductor的高压MOSFET家族。它在平面MOSFET中具有最小的导通电阻,并且还提供了优异的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外,内部栅源ESD二极管允许UniFET II™ MOSFET能够承受超过2000V的HBM浪涌应力。
单场效应晶体管™ MOSFET适用于开关功率转换器应用,例如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视功率、ATX(先进技术扩展)和电子镇流器。

特色

  • 低栅极电荷Qg导致简单的驱动要求(典型值33nC)
  • 改进了栅极、雪崩和高重新应用的dv/dt耐用性
  • 降低RDS(开启)(330米Ω (典型)@VGS=10V,ID=7.5A)
  • 减少米勒电容和低输入电容(典型Crss=16pF)
  • 提高开关速度,降低EMI
  • 175oC额定结温

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDB15N50所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDB15N50 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDB15N50价格参考¥24.191286,你可以下载 FDB15N50中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDB15N50规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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