9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL18N65M2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL18N65M2参考价格为1.43220美元。STMicroelectronics STL18N65M2封装/规格：MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV。您可以下载STL18N65M2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STL18N60M2带有引脚细节，包括MDmesh M2系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如PowerFlat-8，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供57 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10.6 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅源电压为25 V，Id连续漏电流为9 A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为308mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为21.5nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的STL17N65M5，包括4 V Vgs第四栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于650 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作MDmesh M5系列。此外，上升时间为8 ns，器件提供374 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有22 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为70 W，封装为卷轴式，封装外壳为PowerFlat-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为10A，下降时间为11ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STL18N55M5是由ST制造的MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT™ HV封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT、N沟道550V 2.4B（Ta）、13A（Tc）3W（Ta）和90W（Tc）表面安装POWERFLAT？（8x8）HV，Trans MOSFET N-CH Si 550V 13A 5引脚电源扁平T/R。
