9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF10NK50Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF10NK50Z价格参考2.63000美元。STMicroelectronics STF10NK50Z封装/规格：MOSFET N-CH 500V 9A TO220FP。您可以下载STF10NK50Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF10N80K5是MOSFET N-CH 800V 9A TO-220FP，包括MDmesh？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3全包装，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220FP，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为30W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为800V，输入电容Cis-Vds为635pF@100V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为9A（Tc），最大Id Vgs的Rds为600 mOhm@4.5A，10V，Vgs的最大Id为5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为22nC@10V，Pd功耗为30 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为11ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为9A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs第栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为470mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型导通延迟时间为14.5ns，并且Qg栅极电荷为22nC，并且信道模式为增强。
STF10N95K5是MOSFET N-Ch 950V 0.65欧姆（典型8A齐纳保护），包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于950 V，提供单位重量功能，如0.011640 oz，典型开启延迟时间设计为22 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联的MDmesh K5，上升时间为14ns，Rds漏极-源极电阻为800m欧姆，Qg栅极电荷为22nC，Pd功耗为30W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1沟道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为8 A，下降时间为15 ns，配置为单一。
STF10N65K3是MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP，包括35 ns的下降时间，它们设计为在10 a Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，安装方式设计为在通孔中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，封装为管，器件提供35 W Pd功耗，器件具有42 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为750 mOhms，上升时间为14 ns，串联为N沟道MDmesh，技术为Si，晶体管极性为N沟，晶体管类型为1 N沟道，典型关断延迟时间为44 ns，典型的接通延迟时间为14.5纳秒，单位重量为0.011640盎司，Vds漏极-源极击穿电压为650伏，Vgs栅极-源极电压为30伏。
