9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFBC40LPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFBC40LPBF参考价格为2.63835美元。Vishay Siliconix IRFBC40LPBF封装/规格：MOSFET N-CH 600V 6.2A TO262-3。您可以下载IRFBC40LPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFBC40LCPBF是MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供125 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为6.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds漏极漏极-漏极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为27ns，典型接通延迟时间为12ns，正向跨导最小值为3.7S，沟道模式为增强型。
IRFBC40ASTRLPBF是MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为31 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为23 ns，器件的漏极-源极电阻为1.2欧姆，Pd功耗为125 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6.2A，下降时间为18ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFBC40L是由IR制造的MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262。IRFBC40 L可提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 6.2A TO-262、N通道600V 6.2A（Tc）3.1W（Ta）、130W（Tc）通孔I2PAK。
IRFBC40LC是由IR制造的MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB。IRFBC40 LC以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 6.2A TO-220AB、N通道600V 6.2A（Tc）125W（Tc。
