9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRL640STRRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRL640STRRPBF价格参考1.93374美元。Vishay Siliconix IRL640STRRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK。您可以下载IRL640STRRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IRL640STRRPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRL640SPBF是MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK，包括管封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为52 ns，上升时间为83 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为17 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为180mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为44ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
IRL640STRLPBF是MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK，包括10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8 ns，典型的关闭延迟时间设计为44 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为83 ns，器件的漏极-源极电阻为180 mOhms，Pd功耗为3.1 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为17A，下降时间为52ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRL640S是由IR制造的MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK。IRL640S可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH200V 17B D2PAK、N沟道200V 17C（Tc）3.1W（Ta）、125W（Tc）表面安装D2PAK，Trans MOSFET N-CH200V 17A 3-Pin（2+Tab）D2PAK。
IRL640SPRPBF带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRL640SPFRPBF采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
