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STP35N60M2-EP

Name: STP35N60M2-EP
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7148264-STP35N60M2-EP
Price: 24.134647 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc）供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

渠道:

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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
安装类别通孔
包装/外壳至220-3
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
漏源电压标 (Vdss) 600 V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
漏源电流 (Id) @ 温度 26A（Tc）
工作温度 150摄氏度（TJ）
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
供应商设备包装 TO-220
导通电阻 Rds(ON) -
最大栅源极电压 (Vgs) -
最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
最大功耗 -

STP35N60M2-EP 产品详情

STMicroelectronics的VND7050AJ12TR和VND7140AJ12TR是双通道高端驱动器，采用最新的VIPower™ M0-7技术，最低供电电压为2.85 V，在发动机启动期间，当车辆蓄电池电压下降时，仪表板仪表等重要设备保持工作。这两种设备符合德国汽车工业LV124测试计划中严格的冷启动规范，因此非常适合采用停止启动技术的车辆。这两个设备分别具有40 mΩ和140 mΩ的开关，提供诊断功能和全套保护功能。

特色

快速恢复体二极管
极低栅极电荷和输入电容
低通电阻
100%雪崩测试
极高的dv/d耐用性
齐纳保护

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型号	制造商	描述	价格
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STP35N60M2-EP所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STP35N60M2-EP 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STP35N60M2-EP价格参考￥24.134647，你可以下载 STP35N60M2-EP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STP35N60M2-EP规格参数、现货库存、封装信息等信息！