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CSD19502Q5BT

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta)、195W(Tc) 供应商设备包装: 8-VSON-CLIP (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 22.74270 22.74270
10+ 20.43946 204.39464
100+ 16.42689 1642.68970
250+ 15.42448 3856.12000
500+ 13.49642 6748.21000
1000+ 12.26947 12269.47300
  • 库存: 250
  • 单价: ¥22.74271
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥22.74
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 漏源电压标 (Vdss) 80 V
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 100A(Ta)
  • 供应商设备包装 8-VSON-CLIP (5x6)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 62 nC @ 10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.3V@250A.
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.1毫欧姆 @ 19A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4870 pF @ 40 V
  • 最大功耗 3.1W(Ta)、195W(Tc)

CSD19502Q5BT 产品详情

N沟道NexFET™ 功率MOSFET,德州仪器
CSD19502Q5BT所属分类:分立场效应晶体管 (FET),CSD19502Q5BT 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CSD19502Q5BT价格参考¥22.742706,你可以下载 CSD19502Q5BT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CSD19502Q5BT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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