CSD19502Q5BT
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta)、195W(Tc) 供应商设备包装: 8-VSON-CLIP (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 德州仪器 (Texas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 22.74270 | 22.74270 |
10+ | 20.43946 | 204.39464 |
100+ | 16.42689 | 1642.68970 |
250+ | 15.42448 | 3856.12000 |
500+ | 13.49642 | 6748.21000 |
1000+ | 12.26947 | 12269.47300 |
- 库存: 250
- 单价: ¥22.74271
-
数量:
- +
- 总计: ¥22.74
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 德州仪器 (Texas)
- 漏源电压标 (Vdss) 80 V
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 漏源电流 (Id) @ 温度 100A(Ta)
- 供应商设备包装 8-VSON-CLIP (5x6)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 62 nC @ 10 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.3V@250A.
- 导通电阻 Rds(ON) 4.1毫欧姆 @ 19A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4870 pF @ 40 V
- 最大功耗 3.1W(Ta)、195W(Tc)
CSD19502Q5BT 产品详情
N沟道NexFET™ 功率MOSFET,德州仪器
CSD19502Q5BT所属分类:分立场效应晶体管 (FET),CSD19502Q5BT 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CSD19502Q5BT价格参考¥22.742706,你可以下载 CSD19502Q5BT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CSD19502Q5BT规格参数、现货库存、封装信息等信息!
德州仪器 (Texas)
德州仪器公司(TI)是一家开发模拟IC和嵌入式处理器的全球半导体设计和制造公司。通过雇用世界上最聪明的人,TI创造了塑造技术未来的创新。如今,TI正在帮助超过10万名客户改变未来。